|
|
Užití kovových materiálů pro selektivní růst
Němeček, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Povrch Si(100), povrchové fáze Ga a jejich oxidace byly zkoumány pomocí metod XPS a LEED. Byly provedeny studie oxidace substrátu Si(100) a struktury (2x2)-Ga s následným žíháním pro odpaření oxidu gallného. Selektivní růst Ga na mřížkách tvořených SiO2/Si byl mapován s využitím metod SEM a AFM. Bylo zjištěno, že gallium roste uvnitř struktur selektivně. Dále byly analyzovány jednotlivé struktury. Kombinací STM měření a výpočtů DFT se podařila plně určit struktura povrchového oxidu na Ni3Al(111) a na NiAl(110) substrátech. Bylo zjištěno, že struktura povrchového oxidu hlinitého na NiAl(110) netvoří tzv. vzor, a že klastry Fe a Co na něm nerostou uspořádaně. Naproti tomu, oxid hlinitý vytvořený na povrchu Ni3Al(111) vzor tvoří a může být použit pro růst klastrů Fe a Co.
|
|
| |
|
|
Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu
Novák, Tomáš ; Kostelník, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
| |
|
|
Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB
Mareš, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
|
|
|
Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM).
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu
Novák, Tomáš ; Kostelník, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.
|
host ::
RSS.